国产半导体多线突围 奠定AI算力坚实底座

简介

2026年国内AI算力市场快速增长,华为昇腾、寒武纪、百度昆仑芯等ASIC路线规模化落地,中昊芯英实现TPU从0到1突破;长江存储294层3D NAND、长鑫DDR5量产,补齐算力技术路线短板。

多路线并行突围

国内AI算力市场快速增长,得益于芯片设计与存储两大领域协同发力。AI芯片呈现GPU、ASIC、TPU多路线并行:摩尔线程、沐曦、壁仞践行GPU路线;华为昇腾、寒武纪、百度昆仑芯形成ASIC规模化落地;中昊芯英凭借自研架构实现TPU量产,填补国内纯TPU架构空白。

存储双双突围

存储芯片领域,长江存储已实现294层3D NAND量产,核心指标跻身全球第一梯队;长鑫存储量产多款DDR4、LPDDR4X及DDR5产品,缩小与国际领先代际差距。国产半导体在芯片和存储领域双双突围,既补齐算力技术路线结构性短板,也大幅降低国内大模型研发与行业AI应用的算力成本。